Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из - страница 2

Ссылки:
С – синоним

См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному дескриптору.

В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие или целый объект, в котором частью является заглавное понятие

Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.

А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске литературы.
^ Лексико-семантический указатель Латиница – 3 статьи

N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: полупроводниковые домены
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/

p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и дырочной (p) проводимостью
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: контакты /полупроводников/
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов

S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование
^ А а – 35 статей

автоэлектронная эмиссия = выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного электрического поля
ББК В373.13
УДК 537.533.2
С: электростатическая эмиссия электронов
В: электронная эмиссия
Н: автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/

автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
ББК В379.231.3
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
*УДК 537.533.2:621.315.59
С: туннельная эмиссия
В: автоэлектронная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

агрегатное состояние – действие на проводимость
*ББК В375.1:В373.12
УДК 537.312.67
С: электропроводность в зависимости от агрегатного состояния
В: температура – действие на проводимость

адатом = атом, адсорбированный на поверхности кристалла
ББК Г589
*УДК 544.022.343.4:544.723
В: кристаллическая решётка полупроводников

акустика
ББК В32
ВИНИТИ 291.37
ГРНТИ 29.37
УДК 534
В: физика
Н: физическая акустика

акустические фононы
В: фононы

акустические явления в конденсированном веществе
*ББК В369:В32
УДК 538.951
В: физическая акустика
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе

акустические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27.25
*УДК 538.951:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках

акустические явления в полупроводниках
*ББК В379.22:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27
*УДК 538.951:621.315.59
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: электроакустические явления в полупроводниках

акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое взаимодействие
PACS 43.35.Sx; 78.20.Hp
*ББК В343.62:В379.24…
*УДК 538.951:538.958:621.315.59
%УДК: 534:535
В: акустические свойства полупроводников

акусторезистивный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.312.9:621.315.529
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках

акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда
ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/

акустоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
*УДК 537.311.322.04:534
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акусторезистивный эффект в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках

акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников
Н: легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы

алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
ББК В379.2
*УДК 538.9:621.315.59:549.211
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел

алюминий
*ББК Г123.2:К233.1
УДК 546.62
А: алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства

алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.22/23-2
*УДК 621.315.59:546.62
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: алюминий

аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.763-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники

аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.764
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/

аморфные полупроводники = Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников
ББК В379.212.4
*УДК 621.315.59-026.764
%УДК 537.311.322:539.213
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика

аморфные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
*УДК 538.9:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура и энергетика
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика

анизотропная электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
*УДК 537.311.322:537.226.5
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электропроводность полупроводников

анизотропное магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.15
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники

анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным направлениям
ББК В379.2
*УДК 537.226.5:621.315.59
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников

аномальный эффект Холла
ВИНИТИ 291.19.36.21.47
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники

антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости
*ББК В379.331.5:331.7
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
УДК 537.226.4
В: сегнетоэлектричество

антиферромагнетизм полупроводников = одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим антиферромагнетизм отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
ББК В379.233.4
*УДК 537.611.45:537.622.5:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:537.611.45
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников

антиферромагнетизм – теория
ББК В373.35
УДК 537.611.45.01
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников

антиферромагнетики
См: антиферромагнитные материалы

антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
ББК В373.34/35
ВИНИТИ 291.19.43
ГРНТИ 29.19.43
УДК 548:537.611.45/.46
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы

антиферромагнитные материалы
УДК 537.622.5
С: антиферромагнетики
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов

антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного парамагнитного резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии, проходящей через антиферромагнетик
ББК В373.35
УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс

арсенид галлия /полупроводниковые свойства/
*ББК Г125.315:Г123.31-2:з843.3
*УДК 546.681’19:621.315.59
%УДК 537.311.322-039.6GaAs
В: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: полупроводниковые соединения

атомная физика
УДК 539.18
Н: свойства атомов

атомносиловая микроскопия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.27
В: микроскопия
В: экспериментальные методы спинтроники

6352406980195495.html
6352436533134199.html
6352534825513868.html
6352644291984761.html
6352900830711479.html